太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯制造技术

本发明专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成、升压馈送灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片4、6调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端，快速停振关断全桥逆变器功率MOS管。适用于太阳能电源供电的大功率金卤灯照明场合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯。两个RC振荡器共接电阻R11、电容C14同步振荡，自振荡芯片4及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及全桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成、升压馈送灯管触发电路灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片4、6调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端，快速停振关断全桥逆变器功率MOS管。适用于太阳能电源供电的大功率金卤灯照明场合。【专利说明】太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯
本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合 成金卤灯。
技术介绍
现有技术电子镇流器通常用LC或RC振荡器作为金卤灯电光源，产生的振荡频率 受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然结构简便，成本低。要得到大 功率照明势必增大电流，使振荡功率管功耗剧增温升过高振荡频率变化，结果会使灯光随 频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小 阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下 降，重则烧坏器件缩短使用寿命。逆变功率叠加拖动大功率灯具，解决器件功率容量限制。 但是，功率合成振荡电压相位应一致，克服非线性互调功率不均衡。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供太阳能电源供电、逆变振荡高稳频相位同步大功率强光照明 的一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯。 本专利技术技术解决方案为：包括太阳能电源、金卤灯管、基准晶振、分频器、两个自振 荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异 常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反 相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石 英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器、第三个反相器，自振荡芯片 内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R 3、电容C4同步振荡，输 出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率M0S场效应管两组互补半桥构成的全桥逆 变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器?\与自振荡芯片及全桥 逆变器Β输出功率变压器Τ 2馈入相加耦合器，功率合成馈送灯管触发电路引燃灯管启辉， 基准晶振信号经分频器、第三个反相器注入两个自振荡芯片ΕΧ0端锁定相位，调频信号发 生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号 经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断，保护全桥逆变器功率M0S场 效应管，太阳能电源低压接基准晶振、分频器、调频信号发生器电源端，太阳能电源高压接 自振荡芯片及全桥逆变器Α和自振荡芯片及全桥逆变器Β电源端； 其中，调频信号发生器由两个反相器IC^ICh与电阻R7、R8、电容C n组成低频方 波振荡器，经反相器ICh隔离由电阻R9、R1Q、C 12积分成三角波，接入自振荡芯片RC端频率 调制振荡波形抑制灯光闪烁； 灯管触发电路由灯管一端经电容C9接入相加耦合器1~3电感L 6，同时并接串联双 向触发二极管VDi、电感L7的电容C1(l，电感L 7并接脉冲点火变压器T4电感L8与稳压二极管 VD2、VD3，脉冲点火变压器T4电感L8、L 9、稳压二极管VD2、VD3穿过灯异常检测磁环接地，灯管 另一端接脉冲点火变压器τ4电感L9，灯异常检测磁环电感L1(l电压经二极管VD 4检波，电容 C14电阻Rn滤波，经电阻R4、R5分压接三极管VI\触发两个自振荡芯片第SD端关闭振荡保 护功率管； 太阳能电源光伏电池板E1输出串联阻塞二极管VD5、继电器触点J-1连接蓄电池 E2和接有开关S的金卤灯DW，蓄电池 E2过压控制取样电阻RpRPi、!^接入时基芯片IC4高 电平触发端TH，欠压控制取样电阻R 14、RP2、R15接入低电平触发端TL，时基芯片IC4输出接 继电器，蓄电池串入熔丝F，并接防反接二极管VD 6。 本专利技术产生积极效果：解决太阳能电源双全桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合 成，达到单个自振荡全桥逆变器难以得到的大功率金卤灯照明，避免器件温升高振荡频率 变化功率失衡，稳定灯光延长使用寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1本专利技术技术方案原理框图 图2基准晶振电路 图3太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯电路 图4太阳能电源电路 【具体实施方式】 参照图1、2、3、4(图3以自振荡芯片及全桥逆变器A电路为例，自振荡芯片及全桥 逆变器B相同），本专利技术【具体实施方式】和实施例：包括太阳能电源1、金卤灯管11、基准晶振 2、分频器3、两个自振荡芯片4、6、全桥逆变器A5、全桥逆变器B7、相加耦合器8、调频信号发 生器9、灯管触发电路10、灯管异常电流检测器12,其中，基准晶振2由石英晶体谐振器JT、 两个反相器及电阻&、电容组成，第一个反相器IC^输入与输出两端跨 接偏置电阻&，并分别并接接地电容(^、(： 2，同时，还跨接串联微调电容Q的石英晶体谐振器 JT，基准晶振2输出信号经第二个反相器κν2接入分频器、第三个反相器κν3，自振荡芯片 IC3UBA2030T内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片4、6振荡器共接电阻R3、电容 C4同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率M0S场效应管Qi、Q2、Q 3、Q4两 组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片4及全桥逆变器A5输出功率变 压器?\与自振荡芯片6及全桥逆变器B7输出功率变压器T 2馈入相加耦合器8,功率合成 馈送灯管触发电路10灯管11启辉，基准晶振2信号经分频器3分频+Ν的基准信号&由 第三个反相器ICi_ 3注入两个自振荡芯片4、6的ΕΧ0端锁定相位，调频信号发生器9三角波 信号接入两个自振荡芯片4、6的RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器12信号经 三极管接入两个自振荡芯片4、6的SD端，控制振荡快速停振关断，保护全桥逆变器功 率M0S场效应管，太阳能电源1低压接基准晶振2、分频器3、调频信号发生器9电源端，太 阳能电源1高压HV接自振荡芯片4及全桥逆变器A5和自振荡芯片6及全桥逆变器B7电 源端。 IC3引脚符号功能：HV高压电源，VDD低压电源，RC振荡器输入，ΕΧ0外接振荡器， GHL驱动％，GLL驱动Q2, GHR驱动Q3, GLR驱动Q4, SHL桥路输出接％源极、输出变压器，SHR 桥路输出接Q3源极、电容C7, BE桥路使能控制，BER桥路使能参考，DTC死区时间控制，FSL 浮置电源，FSR浮置电源，SD关闭振荡，GND接地。 IC4引脚符号功能：V。。电源端，TL低电平触发，TH高电平触发，VMK复位，Vc电压控 制，DIS放电端，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电源双全桥注入锁相功率合成金卤灯，包括太阳能电源、金卤灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、调频信号发生器、灯管触发电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器、第三个反相器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R3、电容C4同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T2馈入相加耦合器，功率合成馈送灯管触发电路引燃灯管启辉，基准晶振信号经分频器、第三个反相器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，调频信号发生器三角波信号接入两个自振荡芯片RC端调频抑制灯光闪烁，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断，保护全桥逆变器功率MOS场效应管，太阳能电源低压接基准晶振、分频器、调频信号发生器电源端，太阳能电源高压接自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，
申请(专利权)人：阮树成，
类型：发明
国别省市：浙江;33