低碳的III族元素氮化物晶体制造技术

本发明专利技术总体而言涉及用于制备和使用III族元素氮化物晶体的系统和方法，该晶体在一定波长范围内具有增强或提高的紫外透明度。该晶体还可以用于诸多UV光学器件和UV光学半导体装置中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
III族元素氮化物晶体，其包含：具有低于约2×1018原子/cm3的碳浓度或低于约2×1018原子/cm3的硅浓度中至少一者的晶格结构；其中所述III族元素氮化物晶体在约300nm或以下的波长处是UV透明的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J施密特，P卢，
申请(专利权)人：氮化物处理股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US