一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源制造技术

一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，包括散热片和电路部分，所述散热片左右两侧设有花齿螺纹孔及回型固定装置；该小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，直接可以安装在E40玉米灯灯碗里，散热效果好，性能更稳定；实际应用中可以通过比例增大，或者非比例增大来满足不同功率设计要求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，包括散热片和电路部分，所述散热片左右两侧设有花齿螺纹孔及回型固定装置；该小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，直接可以安装在E40玉米灯灯碗里，散热效果好，性能更稳定；实际应用中可以通过比例增大，或者非比例增大来满足不同功率设计要求。【专利说明】一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源
本技术涉及照明灯具领域，尤其是一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源。
技术介绍
led玉米灯灯体小巧，适合国内常用灯头，且安装简便，款式新潮，工艺精良，产品系列化，使用时不产生任何废弃物，充分发挥了 led光源节能环保的优点；虽然LED以高效节能环保为人们所熟知，但LED本身还是存在一些问题，LED灯玉米灯也不例外，灯具散热就是目前存在的一个重大问题，散热性能差严重制约了 led玉米灯的普及速度。
技术实现思路
本技术旨在提供一种散热性能好的小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，包括散热片和电路部分；所述散热片左右两侧设有花齿螺纹孔及回型固定装置，所述电路部分包括电源P1，芯片D1、芯片U1、芯片U2、芯片U3和电源P2 ;所述电源Pl的接口 I通过保险电阻Fl与电阻Rl连接，所述电源Pl的接口 2与电阻R2连接且电阻R2与电阻Rl连接，所述电源Pl的接口 2与保险电阻Fl之间并联有电容CXl和阻抗Z1，所述保险电阻Fl与电阻Rl的连接点与电感LI的接口 3连接，所述电源Pl的接口 2与电阻R2的连接点与电感LI的接口 I连接，所述电感LI的接口 4和接口 2分别与芯片Dl的AC正极和AC负极连接，所述芯片Dl的AC正极和AC负极之间连接有电容Cl且电容Cl与AC负极的连接端连接PGND，所述芯片Dl的AC正极依次连接电阻R3、R4和R5且有电容C2与电阻R5并联，所述电阻R5连接PGND，所述电阻R5的接PGND端连接至芯片Ul的GND引脚，另一端连接至芯片Ul的MULT引脚，所述芯片Dl的AC正极与电阻R3的接线点还依次连接有电阻R6、R7和R8且电阻R8连接至芯片Ul的VCC引脚，所述芯片Dl的AC正极与电阻R6的连接点连接至电阻R18且电阻R18并联有电容C7，所述电阻R18与电阻R6连接的一端连接至电感Tl的接口 2，另一端连接至二极管D5的负极，所述二极管D5的正极连接至电感Tl的接口 1，所述芯片Ul的Z⑶引脚通过电阻RlO连接至二极管D4的正极且二极管D4的正极还连接至电感Tl的接口 4，所述电感Tl的接口 3连接PGND，所述二极管D4的负极依次连接有电阻Rl3和电容C4，所述电容C4与电容C5、二极管D12依次并联且电容C4的正极与二极管D12的负极连接，所述电容C4的负极接PGND，所述二极管D12的负极通过电阻R9与芯片Ul的INV引脚连接，且二极管D12的负极与电阻R9的连接点连接至芯片U2的接口 4连接，所述芯片Ul的COMP引脚通过电容C6与电阻R9连接且电容C6并联有电阻R14，所述电阻R9和电容C6的连接点依次连接有电阻R15和R17且电阻R17接PGND，所述电阻R15和电阻R17的连接点连接至芯片U2的接口 3，所述芯片Ul的CS引脚连接有电容C3且电容C3接PGND，所述芯片Ul的⑶引脚连接至二极管D2的负极且二极管D2的正极接PGND，所述芯片Ul的⑶引脚与二极管D2的负极的连接点通过电阻Rll连接至开关功率管Ql的G极，所述开关功率管Ql的D极连接至二极管D5的正极，S极连接至电阻R12与R16的连接点，所述电阻Rll与开关功率管Ql的连接点依次通过电阻R16和R12连接至芯片Ul的CS引脚与电容C3的连接点，所述电阻R16和R12的连接点处连接有电阻R19A、R19B和R19C，所述电阻R19A、R19B和R19C为并联关系且全部接PGND，所述电感Tl的接口5连接至二极管D6A和D6B的正极且二极管D6A和D6B为并联连接，所述二极管D6A和D6B的负极的连接点分别与电容C9的正极、电容Cl7的正极、电阻R32和电感L2连接且电容C9的负极、电容C17的负极和电阻R32均接SGND，所述电感L2与电容C15的正极连接且电筒C15的负极接SGND，所述电感L2与电容C15的正极的连接点连接至电源P2的接口 1，所述电感Tl的接口 6与接口 7连接且连接点接SGND，所述电感Tl的接口 8与二极管D7的正极连接且二极管D7的负极连接至芯片U2的接口 1，所述二极管D7的负极与芯片U2的接口 I的连接点连接有电阻R20且电阻R20的另一端连接至芯片U2的接口 2，所述电阻R20并联有电容C8，所述电阻R20与电容C8的连接点连接至电容ClO的正极且电容ClO的负极接SGND,所述电容C8与电容ClO的连接点连接至电阻R22，所述电阻R22的另一端连接至芯片U3的接口 3，所述电阻R20与电容C8的连接点通过电阻R21连接至二极管D8A的正极，二极管DBA的负极连接至芯片U3的接口 1，所述电阻R21与二极管D8A的连接点连接至二极管D8B的正极，所述二极管D8B的负极连接至芯片U3的接口 7，所述芯片U3的接口 8连接至电源VCC，所述芯片U3的接口 4接SGND，所述芯片U3的接口 I和接口 2之间连接有电容C11，接口 6和接口 7之间连接有电容C12，所述芯片U3的接口 2与电容Cll的连接点通过电阻R28连接至电源P2的接口 1，所述电阻R28与电容Cll的连接点连接至电阻R29且电阻R29接SGND，所述芯片U3与电阻R22的连接点通过电阻R24与芯片U3的接口 5连接，所述芯片U3的接口 5与电阻R24的连接点连接至电阻R25且电阻R25的另一端接SGND，所述芯片U3的接口 6电阻R26与电阻R30、R31和二极管DlO的正极连接且电阻R30、R31和二极管DlO为并联连接，所述电阻R30、R31和二极管DlO的负极均接SGND，所述电阻R26与电阻R30、R31和二极管DlO的连接点连接至电源P2的接口 2，电容CYl的两端分别接PGND、SGND0优选的，所述电感Tl的1、2段线圈与5、6段线圈对应，3、4段线圈与7、8段线圈对应。与现有技术相比，本技术的有益效果是:该小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，直接可以安装在E40玉米灯灯碗里，散热效果好，性能更稳定；实际应用中可以通过比例增大，或者非比例增大来满足不同功率设计要求。【专利附图】【附图说明】图1为本技术的电路图；图2为本技术的正视图；图3为本技术的俯视图；图4为本技术的A-A向剖视图；图5为本技术的B-B向剖视图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-5，本技术实施例中，一种小体积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种小体积超大散热的led玉米灯恒流驱动圆形电源，包括散热片和电路部分，其特征是：所述散热片左右两侧设有花齿螺纹孔及回型固定装置(1)，所述电路部分包括电源P1，芯片D1、芯片U1、芯片U2、芯片U3和电源P2；所述电源P1的接口1通过保险电阻F1与电阻R1连接，所述电源P1的接口2与电阻R2连接且电阻R2与电阻R1连接，所述电源P1的接口2与保险电阻F1之间并联有电容CX1和阻抗Z1，所述保险电阻F1与电阻R1的连接点与电感L1的接口3连接，所述电源P1的接口2与电阻R2的连接点与电感L1的接口1连接，所述电感L1的接口4和接口2分别与芯片D1的AC正极和AC负极连接，所述芯片D1的AC正极和AC负极之间连接有电容C1且电容C1与AC负极的连接端连接PGND，所述芯片D1的AC正极依次连接电阻R3、R4和R5且有电容C2与电阻R5并联，所述电阻R5连接PGND，所述电阻R5的接PGND端连接至芯片U1的GND引脚，另一端连接至芯片U1的MULT引脚，所述芯片D1的AC正极与电阻R3的接线点还依次连接有电阻R6、R7和R8且电阻R8连接至芯片U1的VCC引脚，所述芯片D1的AC正极与电阻R6的连接点连接至电阻R18且电阻R18并联有电容C7，所述电阻R18与电阻R6连接的一端连接至电感T1的接口2，另一端连接至二极管D5的负极，所述二极管D5的正极连接至电感T1的接口1，所述芯片U1的ZCD引脚通过电阻R10连接至二极管D4的正极且二极管D4的正极还连接至电感T1的接口4，所述电感T1的接口3连接PGND，所述二极管D4的负极依次连接有电阻R13和电容C4，所述电容C4与电容C5、二极管D12依次并联且电容C4的正极与二极管D12的负极连接，所述电容C4的负极接PGND，所述二极管D12的负极通过电阻R9与芯片U1的INV引脚连接，且二极管D12的负极与电阻R9的连接点连接至芯片U2的接口4连接，所述芯片U1的COMP引脚通过电容C6与电阻R9连接且电容C6并联有电阻R14，所述电阻R9和电容C6的连接点依次连接有电阻R15和R17且电阻R17接PGND，所述电阻R15和电阻R17的连接点连接 至芯片U2的接口3，所述芯片U1的CS引脚连接有电容C3且电容C3接PGND，所述芯片U1的GD引脚连接至二极管D2的负极且二极管D2的正极接PGND，所述芯片U1的GD引脚与二极管D2的负极的连接点通过电阻R11连接至开关功率管Q1的G极，所述开关功率管Q1的D极连接至二极管D5的正极，S极连接至电阻R12与R16的连接点，所述电阻R11与开关功率管Q1的连接点依次通过电阻R16和R12连接至芯片U1的CS引脚与电容C3的连接点，所述电阻R16和R12的连接点处连接有电阻R19A、R19B和R19C，所述电阻R19A、R19B和R19C为并联关系且全部接PGND，所述电感T1的接口5连接至二极管D6A和D6B的正极且二极管D6A和D6B为并联连接，所述二极管D6A和D6B的负极的连接点分别与电容C9的正极、电容C17的正极、电阻R32和电感L2连接且电容C9的负极、电容C17的负极和电阻R32均接SGND，所述电感L2与电容C15的正极连接且电筒C15的负极接SGND，所述电感L2与电容C15的正极的连接点连接至电源P2的接口1，所述电感T1的接口6与接口7连接且连接点接SGND，所述电感T1的接口8与二极管D7的正极连接且二极管D7的负极连接至芯片U2的接口1，所述二极管D7的负极与芯片U2的接口1的连接点连接有电阻R20且电阻R20的另一端连接至芯片U2的接口2，所述电阻R20并联有电容C8，所述电阻R20与电容C8的连接点连接至电容C10的正极且电容C10的负极接SGND，所述电容C8与电容C10的连接点连接至电阻R22，所述电阻R22的另一端连接至芯片U3的接口3，所述电阻R20与电容C8的连接点通过电阻R21连接至二极管D8A的正极，二极管D8A的负极连接至芯片U3的接口1，所述电阻R21与二极管D8A的连接点连接至二极管D8B的正极，所述二极管D8B的负极连接至芯片U3的接口7，所述芯片U3的接口8连接至电源VCC，所述芯片U3的接口4接SGND，所述芯片U3的接口1和接口2之间连接有电容C11，接口6和接口7之间连接有电容C12，所述芯片U3的接口2与电容C11的连接点通过电阻R28连接至电源P2的接口1，所述电阻R28 与电容C11的连接点连接至电阻R29且电阻R29接SGND，所述芯片U3与电阻R22的连接点通过电阻R24与芯片U3的接口5连接，所述芯片U3的接口5与电阻R24的连接点连接至电阻R25且电阻R25的另一端接SGND，所述芯片U3的接口6电阻R26与电阻R30、R31和二极管D10的正极连接且电阻R30...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁利斌，
申请(专利权)人：梁利斌，
类型：新型
国别省市：陕西;61