形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂及包含该添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物制造技术

本发明专利技术的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明专利技术课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本专利技术课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。【专利说明】形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂及包含该添加剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物
本专利技术涉及形成抗蚀剂下层膜的组合物中添加的添加剂。特别是，涉及以将所形成的抗蚀剂下层膜的表层改性，使与抗蚀剂的密合性提高，在该抗蚀剂下层膜上形成所希望形状的图案为目的的添加剂(改性剂)。进一步涉及包含该添加剂(改性剂)的形成抗蚀剂下层膜的组合物。
技术介绍
在ArF液浸光刻、远紫外线(EUV)光刻中要求抗蚀剂线宽的加工尺寸的微细化。在形成这样的微细的抗蚀剂图案时，通过减小抗蚀剂图案与基底基板的接触面积，从而有抗蚀剂图案的纵横比(抗蚀剂图案的高度/抗蚀剂图案的线宽)变大，易于发生抗蚀剂图案的坍塌的担心。因此，在与抗蚀剂接触的抗蚀剂下层膜(防反射膜)中，要求不发生抗蚀剂图案坍塌那样的与抗蚀剂的高密合性。报告了在抗蚀剂下层膜中，为了表现与抗蚀剂的高密合性，通过使用内酯结构作为形成抗蚀剂下层膜的组合物的构成成分，从而对所得的抗蚀剂图案密合性提高(专利文献I)。即，通过使用包含内酯结构那样的极性部位的结构作为形成抗蚀剂下层膜的组合物的构成成分，可期待对抗蚀剂图案的密合性提高，即使对于微细的抗蚀剂图案也可防止抗蚀剂图案的坍塌。然而，在ArF液浸光刻、远紫外线(EUV)光刻那样的要求制成进一步微细的抗蚀剂图案的光刻工艺中，为了防止抗蚀剂图案的坍塌，并不能说仅包含内酯结构作为形成抗蚀剂下层膜的组合物的构成成分就是充分的。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第03/017002号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题另一方面，作为表现与抗蚀剂的高密合性的方法，可举出控制抗蚀剂与抗蚀剂下层膜之间的界面的化学状态的方法。即，在正型抗蚀剂中，在抗蚀剂与抗蚀剂下层膜之间的界面的化学状态为酸性状态的情况下，所得的抗蚀剂图案形状成为底切形状，抗蚀剂图案的接触面积极度地降低，因此易于发生抗蚀剂图案的坍塌。另一方面，通过使抗蚀剂与抗蚀剂下层膜之间的界面的化学状态为碱性状态，从而可以抑制抗蚀剂图案形状的底切形状，与通过导入内酯结构那样的极性部位而获得的与抗蚀剂的密合性相比，可期待表现牢固的密合性。因此，本专利技术的目的是，为了使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状，提供一种使抗蚀剂下层膜表面状态改性为碱性状态的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂。 用于解决课题的方法本专利技术的第一方式为一种形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，其由具有下述式(I)所示的结构单元的聚合物构成。【权利要求】1.一种形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，其由具有下述式(I)所示的结构单元的聚合物构成， 2.一种形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，其由具有下述式(1')所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元的共聚物构成， 3.一种形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，权利要求2中记载的所述共聚物还具有下述式(3)所示的结构单元， 4.一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含树脂粘合剂、有机溶剂、和权利要求1~3的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂。5.根据权利要求4所述的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含交联剂和交联催化剂。6.一种制作半导体元件的方法，在具有用于形成转印图案的加工对象膜的基板上，涂布权利要求4或5所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，进行烘烤而形成抗蚀剂下层膜，在所述抗蚀剂下层膜上被覆抗蚀剂，对被覆有所述抗蚀剂的基板照射选自KrF准分子激光、ArF准分子激光、远紫外线和电子束中的放射线，然后进行显影来形成抗蚀剂图案，以所述抗蚀剂图案作为掩模，通过干蚀刻在所述基板上转印图案，从而制作半导体元件。【文档编号】G03F7/11GK103907060SQ201280051419 【公开日】2014年7月2日 申请日期:2012年10月12日 优先权日:2011年10月20日【专利技术者】远藤贵文, 坂本力丸, 藤谷德昌 申请人:日产化学工业株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，其由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成，式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤贵文，坂本力丸，藤谷德昌，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP