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成像器件包括在CMOS图像传感器（CIS）上的IR上转换器件，其中所述上转换器件包括透明的多层堆叠体。所述多层堆叠体包括位于透明阳极与透明阴极之间的IR敏化层和发光层。在本发明的一些实施方案中，所述多层堆叠体在通过机械紧固件或粘合剂或者通过...该专利属于佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛罗里达大学研究基金会有限公司;纳米控股有限公司授权不得商用。