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本发明涉及一种射频功率LDMOS器件及其制备方法，包括源极、栅极、漏极，以及硅型衬底，P-epi区域，P+sinker区域，P+base区域，栅氧化层，LDD区域，所述LDD区域为漂移区。优选地，栅氧化层边缘具有鸟嘴结构，并采用侧墙工艺。在...
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