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本发明公开了一种高纯度大尺寸碳化硅单晶及其制备工艺，属于材料科学与技术领域。本发明是以高纯SiC粉为原料，按照最大密度堆积原则，使不同粒径SiC粉料达到合理的颗粒级配，得到最大的装料密度；然后装入超高功率的立式电弧炉中，在高温、高压下进行静...
该专利属于汪长安所有，仅供学习研究参考，未经过汪长安授权不得商用。

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