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本发明公开了一种激光烧蚀法制备粒径2nm的3C-SiC纳米颗粒：将6H-SiC多晶陶瓷片依次在去离子水，无水乙醇，丙酮中超声清洗5-10分钟，用电吹风或氮气流吹干。再次置于去离子水超声3-5分钟后，清洗残留有机物。然后将清洗好6H-SiC多...
该专利属于扬州大学所有，仅供学习研究参考，未经过扬州大学授权不得商用。

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