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本发明提供一种改善等离子体刻蚀工艺的方法，所述上电极上连接一控温装置，控制所述上电极温度变化，在某一临界温度时，所述上电极的聚合物沉积速率和刻蚀速率相等，本发明所述的方法在刻蚀工艺的开始阶段，将所述上电极温度调节到第一温度，所述第一温度小于...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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