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在一种用于氮化物半导体发光元件的制造方法中，所述氮化物半导体发光元件包含：单晶衬底1；和AlN层2；和第一导电类型的第一氮化物半导体层3；和由AlGaN基材料构成的发光层4；和第二导电类型的第二氮化物半导体层6，形成所述AlN层2的步骤包含...
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