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本发明涉及一种双ITO结构，所述双ITO结构包括铟锡氧化物(ITO)、二氧化硅(si02)(其可包含掺杂物材料)和ITO的顺序层。所述双ITO结构选择性地受图案化光致抗蚀剂掩模保护。所述顺序层利用蚀刻剂组合物以单个蚀刻步骤一起蚀刻，所述蚀刻...
该专利属于3M创新有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过3M创新有限公司授权不得商用。

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