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本发明涉及用于制造第III族氮化物半导体的方法。具有c面主表面的蓝宝石的表面通过ICP干法蚀刻图案化。在氢或氮气氛中在低于700℃的温度下或者在高于800℃至1100℃的温度下对图案化的蓝宝石衬底进行热处理。通过磁控溅射在蓝宝石衬底的在20...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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