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本发明涉及存储器单元。本发明实施例提供SRAM单元以及包括所述SRAM单元的SRAM单元阵列。根据本发明实施例的SRAM单元包括上拉晶体管和下拉晶体管，从而在进行读出操作时不需要对预先读出位线进行预充电。采用本发明的方法，可以抑制漏电流的产...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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