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本发明公开了一种元器件抗总剂量生存能力预估方法，包括：MOS器件抗总剂量生存概率与空间环境指标要求、总剂量余量之间的关系在对数正态分布下的情况，批次性器件的抗总剂量生存概率与总剂量效应失效阈值标准差σ有关，控制σ可以在有限的总剂量余量下提高...
该专利属于上海卫星工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海卫星工程研究所授权不得商用。

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