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本发明涉及用于制造半导体衬底的方法和用于制造集成在半导体衬底中的半导体器件的方法。一种制造半导体衬底的方法，包括提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体晶片，以及当在垂直于第一表面的横截面中看时，在离第一表面第一距离处在半导体晶片...
该专利属于英飞凌科技奥地利有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技奥地利有限公司授权不得商用。

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