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本发明公开了一种双位元闪存，包括两个位于同一有源区中且相邻的SONOS存储器以及位于两个SONOS存储器之间的选择管，选择管的栅极结构的位置和尺寸直接由两个SONOS存储器之间的两个相邻侧墙自对准定义。本发明还公开了一种双位元闪存的制造方法...
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