温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种掩埋PN结势垒肖特基二极管，其通过在原有硅外延层的上方增设一层附加硅外延层，这样有多个掩埋体掩埋在附加外延表面以下，形成多个隔离的PN结，在反向电压的情况下，这些PN结形成的空泛层会防护肖特基势垒介面而减低反向电压的电场影响，...
该专利属于桂林斯壮微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林斯壮微电子有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。