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本发明的主要目的在于，能够进行在成膜时缺陷少且不含过量的氢的薄膜形成，进而，能够在成膜后对在成膜时产生的缺陷进行补偿，以减少界面及薄膜中的缺陷，由此，实现长载流子寿命。本发明是具有在结晶硅基板(50)上形成有硅薄膜(52)的结构的太阳能电池...该专利属于国立大学法人东京农工大学; 日新电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东京农工大学; 日新电机株式会社授权不得商用。