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紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法技术
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文档序号:9858116
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本发明提供一种紫外线发光二极管用多量子阱,包括:Alx1Ga1-x1N势垒部,其交替配置有AlN势垒原子层与所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层;以及Alx2Ga1-x2N量子阱部,其在所述Alx1Ga1-x1N势垒部上形成并交替配置有...
该专利属于芯片科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过芯片科技有限公司授权不得商用。
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