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本发明公开了一种IGZO薄膜晶体管及其制备方法，其中IGZO薄膜晶体管包括衬底、结合在衬底表面上的栅极和覆盖在衬底和栅极外表面的硅化物栅极绝缘层，其中，硅化物栅极绝缘层表面被O2/N2O等离子体轰击处理，且在被O2/N2O等离子体轰击处理的...
该专利属于TCL集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL集团股份有限公司授权不得商用。

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