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本发明涉及一种具有各向异性的硅量子点薄膜的制备方法，公开了一种调整元素成分变化产生不同的应变能诱导各向异性的多形态硅量子点形成，进而调整其吸收光谱范围，并显著提高所用材料光电转换效率的技术方法。主要步骤如下：首先，镀膜前预处理，然后利用Ar...
该专利属于西安文理学院所有，仅供学习研究参考，未经过西安文理学院授权不得商用。

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