温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及InGaAs光电二极管阵列（101）并且涉及用于制造InGaAs光电二极管阵列（101）的方法，其中所述阵列包括：阴极，所述阴极包括至少一个磷化铟衬底层（4）和有源铟镓砷化物层（5）；以及多个阳极（3），所述多个阳极（3）通过扩散...
该专利属于新成像技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过新成像技术公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。