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本发明涉及场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法。该方法依次具备下述步骤：形成第一衬底的第一衬底形成步骤；在所述第一衬底的背面形成终止层的终止层形成步骤；将所述第一衬底通过所述终止层与规定厚度的第二衬底利用直接键合方式键合在一起的键合步骤；将...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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