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本发明涉及一种具有极化补偿机制的氮化物量子阱，包括交替层叠生长的多层势阱层和多层势垒层，其特征在于：所述势阱层材料为InyGa1-yN或AlyGa1-yN，其中0＜y＜0.6，所述势阱层材料中y的取值在量子阱生长方向从低向高或从高向低连续渐...该专利属于广东高聚激光有限公司; 苏州华必大激光有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东高聚激光有限公司; 苏州华必大激光有限公司授权不得商用。