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本发明公开了一种用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法。本界面结构是在有机卤化铅薄膜上利用原子层沉积等手段沉积一层厚度可控的均匀氧化物绝缘层，用于修饰和调控薄膜太阳能电池背接触，达到提高太阳能电...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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