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半导体发光元件及其制造方法技术
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文档序号:9832699
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本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。制造半导体发光元件的方法包括如下步骤:在衬底的主表面上形成由第III族氮化物基化合物半导体构成的半导体层;在半导体层上形成透明导电金属氧化物膜;在透明导电金属氧化物膜上方形成电极;形成用于覆盖透明导电金...
该专利属于丰田合成株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过丰田合成株式会社授权不得商用。
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