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本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，该器件包括：基底，该基底具有一个表面和另一个表面并且由第一导电型漂移层形成，第一导电型扩散层，该第一导电型扩散层在所述基底的一个表面上形成并具有比所述第一导电型漂移层更高的浓度，以及形成的沟槽以便从...
该专利属于三星电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电机株式会社授权不得商用。

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