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本发明公开了一种基于选择性隧穿原理的太阳能电池及其制备方法。包括如下步骤：（1）制备表面平整的宽禁带半导体；所述宽禁带半导体为二氧化钛或二氧化锌；（2）将石墨烯转移至所述宽禁带半导体的一表面上，然后继续在所述石墨烯上组装光激发材料得到光激发...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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