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本发明公开了一种锗硅异质结双极型三极管器件的制造方法，刻蚀N型外延区的单晶形成凹进再生长场氧化层，而后淀积氧化硅并用化学机械研磨平坦化形成低于单晶表面500～1000埃的场氧凹进；淀积氧化硅和无定型硅，光刻和干法刻蚀无定型硅打开基区有源区，...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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