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本发明公开了一种带寄生场效应的LDMOS模型,包括第一MOS管和第二MOS,所述第一MOS管的体端电极和所述第二MOS管的体端电极相连、所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极相连、所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连,...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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