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一种半导体芯片的蚀刻组合物，包括：0.5至50wt%的碱；10至80wt%的醇；0.01至15wt%的添加剂；以及余量的水。此外，还提供一种半导体芯片的的蚀刻方法。当该蚀刻组合物用于半导体芯片的全表面或部分表面上时，在60至200℃温度范围...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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