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本发明公开了一种基于电容结构的HEMT栅泄漏电流分离结构与方法，结构包括具有不同面积的两个环形肖特基栅电容；每个电容为两端结构，包含一个栅电极和一个欧姆电极；第一个电容的栅电极半径为R1；第二个电容的肖特基栅为环形，栅的外环半径为R1，内环...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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