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一种带有场截止层的全自对准的绝缘栅双极晶体管器件制造技术
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下载一种带有场截止层的全自对准的绝缘栅双极晶体管器件的技术资料
文档序号:9781726
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本实用新型的涉及电力电子技术领域的半导体器件,具体为一种带有场截止层的全自对准的绝缘栅双极晶体管器件,包括第一导电类型衬底,第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区,第二导电类型基区内设有第二导电类型深扩散区,所述第二导电类型深扩散...
该专利属于中国东方电气集团有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中国东方电气集团有限公司授权不得商用。
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