温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种竖直的基于GaN的蓝光LED具有n型GaN层，n型GaN层直接生长于低电阻层(LRL)上，而低电阻层(LRL)生长于硅基板之上。在一个范例中，LRL为具有厚度小于300nm的周期的低方块电阻GaN/AlGaN超晶格。在超晶格上生长n型G...
该专利属于东芝技术中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芝技术中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。