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本发明涉及多次可编程的内存，所揭露的是一种装置。本装置包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为n个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层设置于鳍型结构的上部表面以及栅极介电层设置于鳍型结构的侧壁上。n=2x...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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