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一种电子器件可以包括衬底、覆盖衬底的掩埋氧化物(BOX)层、覆盖BOX层的至少一个半导体器件和在衬底中并且与至少一个半导体器件相邻的至少一个浅沟槽隔离(STI)区域。至少一个STI区域与衬底限定侧壁表面并且可以包括对侧壁表面的底部分加衬的氧...该专利属于意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司;国际商业机器公司;法国原子能及替代能源委员会授权不得商用。