温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于半导体器件与半导体工艺领域，其目的在于提出一种大规模h-BN介质石墨烯集成电路制备方法，利用催化金属衬底上h-BN和石墨烯选择生长的特性，通过对催化金属层的光刻，实现对外延生长的h-BN层与石墨烯层图形的控制，从而制备实现以h-B...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。