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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，提供一衬底；在衬底上依次形成半导体层、硅附加层和光刻掩膜层；在硅附加层上部分区域刻蚀，沿硅（111）晶面形成斜截面，与未被刻蚀的硅（100）晶面构成梯形凹槽，直至暴露出所述半导体层；最后在上述凹槽中沉积...
该专利属于苏州晶湛半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶湛半导体有限公司授权不得商用。

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