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一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一绝缘层和贯穿第一绝缘层厚度的鳍部，且鳍部顶部高于第一绝缘层表面；形成包括关键原子的牺牲层，所述牺牲层位于鳍部顶部和侧壁，根据形成的鳍式场效应晶体管的类型，所选...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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