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本发明公开了一种采用低温退火制备非晶NiW合金薄膜的方法，其是将磁控溅射沉积态的纳米晶NiW合金薄膜置于真空退火炉中低温退火制备出近乎完全非晶化的NiW合金薄膜。该方法简单、易行，避免了传统金属非晶材料制备方法所需的极大的淬火速度。该方法采...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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