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本发明公开了一种GaN基脊型激光二极管的制备方法。首先，通过在干法蚀刻脊型之前在脊型的顶部使用P区接触金属电极作挡光层，然后使用旋涂技术涂布负性光敏性热固化涂层胶。其次，通过背向曝光技术实现第二次光刻，挡光层可以有效阻止紫外光对脊型顶部光刻...该专利属于北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司;北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司;北京大学授权不得商用。