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一种电流孔径垂直电子晶体管（CAVET），其具有基于氨（NH3）的分子束外延（MBE）生长的p型氮化镓（p-GaN）作为电流阻挡层（CBL）。具体地，所述CAVET特征在于用于电流阻挡目的的有源掩埋的镁（Mg）掺杂的GaN层。这种结构对高功...
该专利属于加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过加利福尼亚大学董事会授权不得商用。

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