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本发明涉及一种SiC衬底GaN基LED的制备方法，包括以下步骤：第一步：一次光刻，定义出芯片P区、N区；第二步：使用感应耦合等离子体刻烛机蚀刻掉N区外延层；第三步：使用电子束蒸发台在外延片上蒸镀ITO透明导电薄膜；第四步：二次光刻；第五步：...
该专利属于路旺培所有，仅供学习研究参考，未经过路旺培授权不得商用。

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