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本发明提供一种沟槽式肖特基二极管结构及其制造方法，所述沟槽式肖特基二极管结构至少包括：第一导电类型的衬底；多个深沟槽结构，包括形成于所述衬底中的多个深沟槽、结合于各该深沟槽表面的介质层、以及填充于各该深沟槽内的导电材料；其中，相邻两个深沟槽...
该专利属于中航（重庆）微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中航（重庆）微电子有限公司授权不得商用。

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