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本发明公开了一种提高了BVceo的双极型晶体管及其生产工艺，首先使用离子注入工艺将P-型元素硼离子预反掺杂到N-型外延硅的表面，然后在沟槽场氧化高温热过程中，预反掺杂的硼离子被推进扩散到晶体管的集电区中，导致在靠近晶体管基区的集电区中，由于...
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