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具有非对称垒层的蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型结构从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层，有源区包括阱层和垒层，所述有源区的生长周期数为3m个周期，...
该专利属于南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司授权不得商用。

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