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一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容...
该专利属于新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社授权不得商用。

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