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提供一种制造双极穿通半导体器件的方法，其中实施下列步骤：(a)提供具有第一和第二侧(15，17)的晶圆(1)，其中在第一侧(17)上设置具有恒定高掺杂浓度的第一导电类型的高掺杂层(34)，(b)在第一侧(15)上外延生长第一导电类型的低掺杂...
该专利属于ABB技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ABB技术有限公司授权不得商用。

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