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本发明揭示了一种背照式CMOS影像传感器及其制造方法。包括：半导体基底，形成于所述半导体基底中的光电二极管及隔离结构；遮光金属层，所述遮光金属层靠近所述半导体基底的背面；引线，所述引线与所述遮光金属层电相连，所述引线位于所述半导体基底中靠近...
该专利属于豪威科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过豪威科技（上海）有限公司授权不得商用。

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