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本发明公开了一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：准备第一导电类型的衬底；在衬底上形成第二导电类型的外延层；在外延层上形成绝缘层，在至少形成发射极区域或者集电极区域的区域的所述绝缘层上形成开口部；洗净所述外延层表面之后，将含有扩散于所述外...
该专利属于溧阳市东大技术转移中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过溧阳市东大技术转移中心有限公司授权不得商用。

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